"آئینے کی سطح کی پروسیسنگ"، جیسا کہ نام سے ظاہر ہوتا ہے، اس کا مطلب ہے کہ پروسیس شدہ سطح آئینے کی طرح تصاویر کی عکاسی کر سکتی ہے۔ یہ سطح ورک پیس کی سطح کے بہت اچھے معیار تک پہنچ گئی ہے۔ آئینے کی سطح کی پروسیسنگ نہ صرف مصنوعات کے لئے ایک اعلی "ظہور" بنا سکتی ہے، بلکہ فرق کے اثر کو بھی کم کر سکتا ہے. ورک پیس کی تھکاوٹ کی زندگی کو طول دینا؛ یہ بہت سے اسمبلی اور سگ ماہی ڈھانچے میں بہت اہمیت رکھتا ہے۔ پالش کرنے والی آئینے کی سطح کی پروسیسنگ ٹیکنالوجی بنیادی طور پر ورک پیس کی سطح کی کھردری کو کم کرنے کے لیے استعمال ہوتی ہے۔ دھاتی ورک پیس کے لیے پالش کرنے کے طریقہ کار کا انتخاب کرتے وقت، مختلف ضروریات کے مطابق مختلف طریقے منتخب کیے جا سکتے ہیں۔ چمکانے والے آئینے کی سطح کی پروسیسنگ کے عام طریقوں میں شامل ہیں: مکینیکل پالش، کیمیکل پالش، الیکٹرولیسس 7 قسم کی پالش، ہاکر مرر پروسیسنگ، الٹراسونک پالش، فلویڈ پالش اور مقناطیسی پیسنے اور پالش کرنا۔
1. مکینیکل پالش کرنا
مکینیکل پالش ایک چمکانے کا طریقہ ہے جو ہموار سطح حاصل کرنے کے لیے مواد کی سطح کو کاٹنے اور پلاسٹک کی خرابی کے ذریعے پالش محدب حصے کو ہٹاتا ہے۔ عام طور پر، تیل کے پتھر کی پٹیوں، اون پہیوں، سینڈ پیپر، وغیرہ کا استعمال کیا جاتا ہے، اور دستی آپریشن بنیادی طور پر استعمال کیا جاتا ہے. خاص حصوں جیسے گھومنے والے جسم کی سطح کو پالش کیا جاسکتا ہے۔ معاون آلات کا استعمال کرتے ہوئے جیسے ٹرن ٹیبل، انتہائی باریک پیسنے اور پالش کرنے کے طریقے اعلی سطح کے معیار کی ضروریات کے لیے استعمال کیے جا سکتے ہیں۔ الٹرا فائن پالش کرنے میں ایک خاص کھرچنے والے ٹول کا استعمال کیا جاتا ہے، جسے ورک پیس کی سطح کے خلاف دبایا جاتا ہے تاکہ تیز رفتار گھومنے کے لیے رگڑنے والے پالش کرنے والے مائع میں پروسیس کیا جائے۔ Ra0.008μm کی سطح کی کھردری اس ٹیکنالوجی کا استعمال کر کے حاصل کی جا سکتی ہے، جو پالش کرنے کے مختلف طریقوں میں سب سے زیادہ ہے۔ آپٹیکل لینس کے سانچوں میں اکثر یہ طریقہ استعمال ہوتا ہے۔
2. کیمیکل پالش کرنا
کیمیکل پالش کرنے کا مقصد مواد کی سطح کے مائکروسکوپک محدب حصے کو کیمیکل میڈیم میں مقعر حصے کے مقابلے ترجیحی طور پر تحلیل کرنا ہے، تاکہ ہموار سطح حاصل کی جا سکے۔ اس طریقہ کار کا سب سے بڑا فائدہ یہ ہے کہ اسے پیچیدہ آلات کی ضرورت نہیں ہے، پیچیدہ شکلوں کے ساتھ ورک پیس کو پالش کر سکتے ہیں، اور ایک ہی وقت میں بہت سے ورک پیس کو اعلی کارکردگی کے ساتھ پالش کر سکتے ہیں۔ کیمیائی پالش کا بنیادی مسئلہ پالش کرنے والے سیال کی تیاری ہے۔ کیمیکل پالش سے حاصل ہونے والی سطح کی کھردری عام طور پر کئی 10 μm ہوتی ہے۔
3. الیکٹرو پالش کرنا
The basic principle of electrolytic polishing is the same as that of chemical polishing, that is, to make the surface smooth by selectively dissolving the tiny protrusions on the surface of the material. Compared with chemical polishing, it can eliminate the influence of cathode reaction, and the effect is better. The electrochemical polishing process is divided into two steps: (1) Macro leveling The dissolved product diffuses into the electrolyte, and the geometric roughness of the material surface decreases, Ra>1μm (2) گودھولی برابر کرنا انوڈ پولرائزیشن، سطح کی چمک بہتر ہوئی ہے، را<1μm.
4. ہاکر آئینے پروسیسنگ کا سامان
ایک نئے چمکانے کے عمل کے طور پر، اس کے کئی قسم کے دھاتی پرزوں کی پروسیسنگ میں منفرد فوائد ہیں۔ یہ روایتی پیسنے والی مشینوں، رولنگ، بورنگ اور رولنگ، ہوننگ، پالش کرنے والی مشینیں، کھرچنے والی بیلٹ مشینیں اور دیگر دھاتی سطح کو ختم کرنے والے آلات اور عمل کو بدل سکتا ہے۔ یہ ایک اعلی تکمیل کے ساتھ دھاتی ورک پیس پر کارروائی کرنا آسان بناتا ہے۔ ہاکر نہ صرف پالش کر سکتا ہے، بلکہ بہت سے اضافی فوائد بھی لا سکتا ہے: یہ پروسیس شدہ ورک پیس کی سطح کی تکمیل کو 3 گریڈ سے زیادہ بہتر بنا سکتا ہے (کھردری Ra قدر آسانی سے 0.2 سے نیچے تک پہنچ سکتی ہے)؛ اور ورک پیس کی سطح کی مائیکرو ہارڈنیس کو 20 فیصد سے زیادہ بڑھایا جا سکتا ہے۔ اور ورک پیس کی سطح کے لباس مزاحمت اور سنکنرن مزاحمت کو بہت بہتر بنایا۔ ہاکر کو ہر قسم کے سٹینلیس سٹیل اور دیگر دھاتی ورک پیس پر کارروائی کرنے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔
5. الٹراسونک پالش
ورک پیس کو کھرچنے والے معطلی میں ڈالا جاتا ہے اور الٹراسونک فیلڈ میں ایک ساتھ رکھا جاتا ہے ، اور کھرچنے والے کو الٹراسونک دولن کے ذریعہ ورک پیس کی سطح پر گراؤنڈ اور پالش کیا جاتا ہے۔ الٹراسونک مشین میں ایک چھوٹی میکروسکوپک قوت ہوتی ہے اور یہ ورک پیس کی خرابی کا سبب نہیں بنے گی، لیکن ٹولنگ کی تیاری اور انسٹال کرنا مشکل ہے۔ الٹراسونک مشینی کو کیمیائی یا الیکٹرو کیمیکل طریقوں کے ساتھ ملایا جا سکتا ہے۔ محلول کی سنکنرن اور الیکٹرولیسس کی بنیاد پر، حل کو ہلانے کے لیے الٹراسونک وائبریشن کا اطلاق ہوتا ہے، تاکہ ورک پیس کی سطح پر تحلیل شدہ مصنوعات الگ ہو جائیں، اور سطح کے قریب سنکنرن یا الیکٹرولائٹ یکساں ہو؛ مائع میں الٹراسونک لہروں کا cavitation اثر بھی سنکنرن کے عمل کو روک سکتا ہے اور سطح کو روشن کرنے میں سہولت فراہم کرتا ہے۔
6. سیال پالش
فلوئڈ پالش کرنے کا انحصار تیز رفتار بہنے والے مائع پر ہوتا ہے اور پالش کرنے کے مقصد کو حاصل کرنے کے لیے ورک پیس کی سطح کو کھرچنے کے لیے لے جانے والے کھرچنے والے ذرات۔ عام طور پر استعمال ہونے والے طریقے یہ ہیں: کھرچنے والی جیٹ پروسیسنگ، مائع جیٹ پروسیسنگ، ہائیڈروڈینامک گرائنڈنگ، وغیرہ۔ ہائیڈرو ڈائنامک گرائنڈنگ ہائیڈرولک پریشر سے چلتی ہے، تاکہ کھرچنے والے ذرات کو لے جانے والا مائع میڈیم تیز رفتاری سے ورک پیس کی سطح پر آگے پیچھے بہہ جائے۔ میڈیم بنیادی طور پر ایک خاص مرکب (پولیمر نما مادہ) سے بنا ہوتا ہے جس میں نسبتاً کم دباؤ میں اچھی روانی ہوتی ہے اور اسے کھرچنے والی چیزوں کے ساتھ ملایا جاتا ہے۔ کھرچنے والے سلکان کاربائڈ پاؤڈر ہوسکتے ہیں۔
تصویر
7. مقناطیسی پیسنے اور پالش کرنا
مقناطیسی پیسنے اور پالش کرنے کا مطلب مقناطیسی کھرچنے والے برشوں کو استعمال کرنا ہے تاکہ ورک پیس کو پیسنے کے لئے مقناطیسی فیلڈ کی کارروائی کے تحت کھرچنے والے برش بنائیں۔ اس طریقہ کار میں پروسیسنگ کی اعلی کارکردگی، اچھے معیار، پروسیسنگ کے حالات کا آسان کنٹرول اور کام کرنے کے اچھے حالات ہیں۔ مناسب رگڑنے کے ساتھ، سطح کی کھردری Ra 0.1μm تک پہنچ سکتی ہے۔ پلاسٹک مولڈ پروسیسنگ میں ذکر کردہ پالش دیگر صنعتوں میں درکار سطح کی پالش سے بہت مختلف ہے۔ سخت الفاظ میں، سانچوں کی پالش کو آئینہ پروسیسنگ کہا جانا چاہیے۔ اس میں نہ صرف خود پالش کے لیے اعلیٰ تقاضے ہیں بلکہ سطح کی ہمواری، ہمواری اور ہندسی درستگی کے لیے بھی اعلیٰ معیارات ہیں۔ سطح چمکانے کی ضرورت عام طور پر صرف ایک روشن سطح حاصل کرنے کے لیے ہوتی ہے۔ چونکہ الیکٹرولائٹک پالش، سیال پالش اور دیگر طریقوں سے حصوں کی ہندسی درستگی کو درست طریقے سے کنٹرول کرنا مشکل ہے، اور کیمیائی پالش، الٹراسونک پالش، مقناطیسی کھرچنے والی پالش اور دیگر طریقوں کی سطح کا معیار ضروریات کو پورا نہیں کر سکتا، لہذا عین مطابق سانچوں کی آئینہ پروسیسنگ ہے۔ اب بھی مکینیکل پالش پر مبنی ہے۔ میزبان
